Dicas de uso de transistor bipolar de porta isolada

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é um dispositivo de comutação{0}controlado por tensão amplamente utilizado em sistemas eletrônicos de média- a alta-potência, combinando as vantagens da alta impedância de entrada e acionamento simples dos MOSFETs com a baixa queda de tensão de condução e alta capacidade de transporte-de corrente dos BJTs.

 

Pontos básicos de uso
Requisitos de tensão de condução
IGBTs são dispositivos{0}controlados por tensão. Uma tensão de +12V a +18V (valor típico) deve ser aplicada entre o portão e o emissor para ligá-lo; para desligar-, 0V ou tensão negativa (como -5V a -15V) podem ser aplicados para melhorar a capacidade anti-interferência e acelerar o desligamento.

 

A tensão de acionamento da porta não deve exceder ±20V, caso contrário a camada de óxido da porta poderá ser danificada.

 

Seleção de classificação de corrente e tensão
Os IGBTs podem suportar correntes de várias centenas de amperes (por exemplo, mais de 500A) e tensões de vários milhares de volts. Ao selecionar, deve-se deixar uma margem de 20% ~ 30% para evitar sobretensão ou danos por sobrecorrente.