Definição de transistor bipolar de porta isolada

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é um dispositivo semicondutor de potência composto totalmente controlado-acionado por tensão que combina as vantagens do MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor-de metal-óxido-de metal) e do BJT (transistor de junção bipolar).

 

Pontos de definição central
Composição da estrutura: combina as características de alta impedância de entrada e{0}}acionadas por tensão de um MOSFET com a baixa queda de tensão de condução e alta capacidade de transporte-de corrente de um BJT.

 

Princípio de funcionamento: Ao aplicar tensão à porta para controlar a formação do canal, ela fornece corrente de base ao transistor PNP, conseguindo ligar-ou desligar-.

 

Estrutura Terminal: Possui três eletrodos - Gate (G), Coletor (C) e Emissor (E).

 

Principais vantagens
Alta impedância de entrada (semelhante ao MOSFET, baixa potência de condução)

Queda de tensão de baixa condução (semelhante ao BJT, baixa perda de condução)

Adequado para aplicações de alta tensão, alta corrente e frequência-de média a alta