Características básicas do transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

Principais características elétricas

Alta Impedância de Entrada: Herda as características do MOSFET, requer baixa potência de acionamento e possui um circuito de acionamento simples.

 

Queda de tensão de baixa condução: Utiliza o efeito de modulação de condutividade; a tensão de saturação-no estado ligado (Vce(sat)) é muito menor do que a dos MOSFETs com a mesma classificação de tensão, normalmente 1,5~3V.

 

Capacidade de alta tensão e grande corrente: Adequado para níveis de tensão de 600V a 6500V, com corrente atingindo mais de 10A a 1800A.

 

Frequência de comutação moderada: A faixa de frequência operacional é geralmente de dezenas de kHz (como 10–100kHz), superior ao BJT, mas inferior ao MOSFET.

 

Coeficiente de temperatura positivo: Sob corrente nominal, Vce(sat) aumenta ligeiramente com a temperatura, o que é benéfico para o compartilhamento de corrente quando usado em paralelo.