Definição de transistor bipolar de porta isolada

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é um dispositivo semicondutor de potência acionado por tensão, totalmente controlado e composto, que combina as vantagens do MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal-óxido-de semicondutor-) e do BJT (transistor de junção bipolar).

 

Pontos de definição central
Composição da estrutura: composta pelas características de alta impedância de entrada e{0}}de tensão de um MOSFET combinadas com a baixa queda de tensão de condução e a alta capacidade de transporte de corrente de um BJT.

Princípio de funcionamento: Ao aplicar tensão à porta para controlar a formação do canal, ela fornece corrente de base ao transistor PNP, conseguindo ligar-ou desligar-.

Estrutura Terminal: Possui três terminais -Portão (G), Coletor (C) e Emissor (E).

 

Principais vantagens:
Alta impedância de entrada (como MOSFET, baixa potência de condução)
Queda de tensão de baixa condução (como BJT, baixa perda de condução)
Adequado para aplicações de alta tensão, alta corrente e média-alta frequência