Vantagens do transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

Principais vantagens
Alta impedância de entrada: semelhante aos MOSFETs, os IGBTs são dispositivos acionados por-tensão, com o portão consumindo quase nenhuma corrente, tornando o circuito de acionamento simples e de baixa-potência.

Baixa potência motriz: apenas é necessária uma potência motriz de nível-de miliwatts, muito menor do que os BJTs tradicionais, o que conduz a um projeto com-eficiência energética.

Queda de tensão de condução reduzida: usando o efeito de modulação de condutividade, a tensão de saturação do estado-ligado (VCE(sat)) é de apenas 1–3 V, significativamente menor do que MOSFETs da mesma classificação de tensão, reduzindo assim a perda de condução.

Alta velocidade de comutação: a frequência operacional pode atingir 1–20 kHz, adequada para inversores de alta-frequência, acionamentos de motor e outros cenários.

Grande capacidade de energia: um único módulo pode suportar até 6.500 V/600 A, adequado para aplicações de alta-tensão e alta{3}}corrente, como veículos de energia nova, transporte ferroviário e unidades industriais de frequência variável.

Estrutura compacta e alta confiabilidade: Embalagem modular (como integração com diodos de recuperação rápida, FWD) facilita a integração do sistema e melhora a estabilidade geral.